● 采用高性能CMOS工藝

    ○    防止固件逆向破解

    ○    主頻150MHz（周期6.67ns）

● 電機控制外設（PWM產(chǎn)生電路）

    ○    低功耗設計（內核1.8V，I/O電壓3.3V）

    ○    事件管理器1(EM1)，事件管理器2(EM2)

    ○    集成片內1.8V線性穩(wěn)壓電源（LDO）

    ○    分別包括：2個16位定時器，3個數(shù)值比較器，3個捕獲單元，1個正交編碼電路。

● 支持JTAG在線仿真

● 串行端口外設

● 高性能32位CPU

    ○    串行外設接口(SPI)

    ○    單周期32位x32位乘累加(MAC)運算

    ○    2個串行通信接口(SCI)，兼容通用異步收發(fā)(UART)標準

    ○    單周期2個16位x16位乘累加(MAC)運算

    ○    增強型控制器局域網(wǎng)絡(eCAN)控制器，集成片內eCAN驅動器

    ○    哈佛(Harvard)總線架構

    ○    多通道緩沖串行端口(McBSP)

    ○    原子操作

● 12位16通道模數(shù)轉換器(ADC)

    ○    快速中斷響應和處理

    ○    2 x 8通道輸入復用器

    ○    統(tǒng)一寄存器編程模式

    ○    兩個采樣保持電路

    ○    4M線性程序/數(shù)據(jù)地址

    ○    單一/同步轉換

    ○    可使用C/C++和匯編語言高效率編程

    ○    快速轉換速率：80ns/12.5MSPS

● 片內存儲器資源

● 56個通用I/O (GPIO)引腳

    ○    閃存：128K x 16位閃存（4個8Kx16位和6個16Kx16位扇區(qū)）

● 先進的仿真功能

    ○    ROM：128K x 16位ROM（注：C版，需客戶定制）

    ○    分析和斷點功能

    ○    1K x 16一次性可編程(OTP) ROM

    ○    基于硬件的實時調試

    ○    L0和L1：2塊4Kx16位獨立尋址SARAM

● 開發(fā)工具

    ○    H0：1塊8K x 16位SARAM

    ○    ANSI C/C++編譯器/匯編語言/連接器

    ○    M0和M1：2塊1Kx16位獨立尋址SARAM

    ○    支持Code Composer Studio? IDE

● 引導ROM (4K X 16位)

    ○    支持DSP/BIOS?

    ○    支持軟件引導模式

    ○    JTAG仿真器

    ○    自帶標準算術表

● 低功耗模式和省電模式

● 外部存儲擴展接口

    ○    支持IDLE（空閑）、STANDBY（待機）、HALT（暫停）模式

    ○    超過1M x 16位的可擴展空間

    ○    可禁用獨立外設時鐘

    ○    可編程等待狀態(tài)

● 強大的靜電泄放(ESD)防護能力

    ○    可編程讀/寫時序

    ○    ESD人體模式(HBM): +4000V/-4000V

    ○    3個獨立片選信號

    ○    ESD機器模式(MM): +400V/-400V

● 時鐘和系統(tǒng)控制

    ○    閂鎖效應(Latch-up)觸發(fā)電流: 400mA

    ○    支持動態(tài)鎖相環(huán)(PLL)分頻系數(shù)調整

● 封裝選項

    ○    片內振蕩器

    ○    BGA 179（帶外部存儲器接口）

    ○    看門狗定時器

    ○    LQFP176（帶外部存儲器接口）

● 三個外部中斷接口

    ○    LQFP128（無外部存儲器接口）

● 支持45個外設中斷的外設中斷擴展塊(PIE)

● 產(chǎn)品等級

● 三個32位的CPU定時器

    ○    S： -40°C~125°C

● 128位安全密鑰/鎖

    ○    A： -40°C~85°C

    ○    保護閃存/ROM/OTP和L0/L1 SARAM